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[미국] Qorvo(R), D2PAK 패키지로 업계 최고 수준의 SiC FET 출시

750V EV 설계로 성능 향상

[사진제공 = Qorvo]

커넥티비티 및 전력 솔루션 분야의 선도적인 글로벌 공급업체인 Qorvo(R)(Nasdaq: QRVO)는 최근 소형 D2PAK-7L 패키지로 업계 최고의 9mΩ RDS(on)를 제공하는 자동차용 실리콘 카바이드(SiC) 전계효과 트랜지스터(FET)를 공개했다. 이 750V SiC FET는 최대 60mΩ의 RDS(on) 옵션을 제공하는 Qorvo의 새로운 핀 호환 SiC FET 제품군 중 첫 번째 제품으로, 온보드 충전기, DC/DC 컨버터 및 정 온도 계수(PTC) 히터 모듈을 비롯한 전기 자동차(EV) 애플리케이션에 적합하다.

UJ4SC075009B7S[https://www.qorvo.com/products/p/UJ4SC075009B7S ]는 고전압, 멀티 킬로와트 자동차 애플리케이션에서 전도 손실을 줄이고 효율을 극대화하는 데 필요한 25°C에서 9mΩ의 일반 RDS(on)를 제공한다. 소형 표면 장착 패키지는 자동화 조립 흐름을 가능하게 하고 고객의 제조 비용을 절감한다. 이 새로운 750V 제품군은 D2PAK 패키지의 기존 1200V[https://www.qorvo.com/products/p/UF3C120400B7S ] 및 1700V[https://www.qorvo.com/products/p/UF3C170400B7S ] 자동차 SiC FET를 보완하여 400V 및 800V 배터리 아키텍처를 포괄하며 EV 애플리케이션을 지원하는 완벽한 포트폴리오를 구성한다.

Qorvo Power Products의 Ramanan Natarajan 제품 라인 마케팅 이사는 "이 새로운 SiC FET 제품군 출시는 EV 파워트레인 설계자들에게 고유한 자동차 동력 문제에 대한 가장 발전적이고 효율적인 솔루션을 제공한다는 당사의 헌신을 증명한다"고 말했다.

이 4세대 SiC FEC[https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions/sic-power/gen4-sic-fets ]는 SiC JFET가 Si MOSFET와 공동 패키징되어 와이드 밴드갭 스위치 기술과 더 단순해진 실리콘 MOSFET 게이트 구동의 효율적인 장점을 가진 디바이스를 생산하는 Qorvo의 독보적인 캐스코드 회로 구성을 십분 활용한다. SiC FET의 효율은 전도 손실에 따라 달라지며, Qorvo의 캐스코드/JFET 접근 방식은 업계 최고 수준의 RDS(on) 및 바디 다이오드 역전압 강하를 통해 전도 손실을 줄일 수 있다.

UJ4SC075009B7S의 특징:

• 문턱 전압 VG(th): 4.5V (일반) 0 ~ 15V 드라이브 허용

• 낮은 바디 다이오드 VFSD: 1.1V

• 최대 작동 온도: 175°C

• 탁월한 역회복: Qrr = 338 nC

• 낮은 게이트 전하: QG = 75 nC

• AEC(Automotive Electronics Council) Q101-승인

Qorvo 소개

Qorvo(나스닥: QRVO)는 더 나은 세상을 만들기 위해 혁신적인 반도체 솔루션을 공급하는 기업이다. 제품 및 기술의 리더십, 시스템 레벨 전문성, 세계적인 제조 규모 등의 장점을 십분 활용해 고객이 겪는 가장 복잡한 기술적 어려움을 빠르게 해결하고 있다. 소비자 전자제품, 스마트 홈/사물인터넷, 자동차, EV, 배터리 구동 가전제품, 네트워크 기반 시설, 의료, 항공 및 방위 등 거대한 세계 시장의 다양한 고성장 부문에 서비스를 제공한다. 다양하고 혁신적인 Qorvo팀이 어떻게 지구를 연결하고 보호하며 힘을 불어넣는지 www.qorvo.com에서 확인할 수 있다.

Qorvo의 전향적 행보는 아래의 링크를 방문해 확인할 수 있다.

www.qorvo.com/go/gen4

출처: Qorvo

[출처 = PR newswire(https://kr.prnasia.com/story/107084-9.shtml) / 2024년 2월 1일]