[ȯ°æ½Å±â¼úÀÎÁõ ½Åû] ÀüÀÚÄÚ ¼¾¼¸¦ Àû¿ëÇÑ ½Ç½Ã°£ ¼öÁúÃøÁ¤ÀåÄ¡ °³¹ß / Çѱ¹¼öÀÚ¿ø°ø»ç
Çѱ¹È¯°æ»ê¾÷±â¼ú¿ø °ø°í Á¦2013-72È£
½Å±â¼úÀÎÁõ ½Åû³»¿ë °ø°í
¡¸È¯°æ±â¼ú ¹× ȯ°æ»ê¾÷ Áö¿ø¹ý¡¹ Á¦7Á¶Á¦1Ç× ¹× °°Àº ¹ý ½ÃÇà·É Á¦18Á¶¿¡ µû¶ó ½Å±â¼úÀÎÁõÀ» ½ÅûÇÑ ´ÙÀ½ÀÇ ±â¼ú¿¡ ´ëÇÏ¿© °°Àº ¹ý ½ÃÇà·É Á¦18Á¶ÀÇ4Á¦1Ç׿¡ µû¶ó ±× ½ÅûÀÚ¿Í ½ÅûµÈ ±â¼úÀÇ ÁÖ¿ä ³»¿ëÀ» °ø°íÇÏ´Ï, µ¿ ±â¼úÀÇ ÀÌÇØ°ü°èÀÎÀ¸·Î¼ ÀÇ°ßÀÌ ÀÖ´Â °æ¿ì¿¡´Â ÀÌÇØ°ü°èÀÎÀÇ ÀÇ°ßÀ» Áõ¸íÇÏ´Â »ó¼¼ ¼³¸íÀڷḦ ±¸ºñÇÑ ÀÌÇØ°ü°èÀÎ ÀÇ°ß¼¸¦ Çѱ¹È¯°æ»ê¾÷±â¼ú¿øÀå¿¡°Ô Á¦ÃâÇÏ¿© Áֽñ⠹ٶø´Ï´Ù. 2013³â 7¿ù 15ÀÏ Çѱ¹È¯°æ»ê¾÷±â¼ú¿øÀå
1. ½Åû±â¼ú ÇöȲ
°¡. ½Åû³»¿ë : ½Å±â¼úÀÎÁõ
³ª. ±â¼ú¸í : ÀüÀÚÄÚ ¼¾¼¸¦ Àû¿ëÇÑ ½Ç½Ã°£ ¼öÁúÃøÁ¤ÀåÄ¡ °³¹ß
´Ù. ½ÅûÀÚ : Çѱ¹¼öÀÚ¿ø°ø»ç
¶ó. ÁÖ ¼Ò : ´ëÀü±¤¿ª½Ã ´ë´ö±¸
¸¶. ½ÅûµÈ ±â¼úÀÇ ÁÖ¿ä³»¿ë(½Åû¼ÀÇ ±â¼ú³»¿ë ¿ä¾à) - »ó¼ö¿ø¼ö ÁßÀÇ ³¿»õ¹°ÁúÀ» Å»±â½ÃÅ°´Â Àüó¸® ¼öÁ¶¿Í MOS (metal oxide semiconductor) ¼¾¼ºÎ¸¦ °áÇÕÇÏ¿© ½Ç½Ã°£À¸·Î ³¿»õ¹°ÁúÀ» °¨Áö ¹× °æº¸ °¡´ÉÇÑ ±â¼ú
¹Ù. ½ÅûµÈ ½Å±â¼ú¹üÀ§ - Å»±â¿¡ ÀûÇÕÇÑ Àüó¸® ¼öÁ¶ ¹× MOS(metal oxide semiconductor)¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ¼öÁ¶ ³»ÀÇ ³¿»õ¹°ÁúÀ» Á¤¼º¡¤Á¤·®ÇÏ´Â ±â¼ú
2. ÀÌÇØ°ü°èÀÎÀÇ°ß¼ Á¦Ãâ±â°£ : 2013.7.15 ~ 2013.8.13 ¡Ø ÀÌÇØ°ü°èÀÎ ÀÇ°ß¼ Á¦Ãâ±â°£À» ÃÊ°úÇÏ¿© Á¢¼öµÈ ÀÇ°ß¼´Â ¡¸½Å±â¼úÀÎÁõ¡¤±â¼ú°ËÁõÀÇ Æò°¡ÀýÂ÷ ¹× ±âÁØ µî¿¡ °üÇÑ ±ÔÁ¤¡¹ Á¦8Á¶Á¦5Ç×Á¦4È£¿¡ µû¶ó ¹Ý·ÁµÊÀ» ¾Ë·Áµå¸³´Ï´Ù.
3. ±×¹Û¿¡ º» ±â¼úÀÇ °ø°í¿Í °ü·ÃÇÏ¿© ±Ã±ÝÇÑ »çÇ×Àº Çѱ¹È¯°æ»ê¾÷±â¼ú¿ø ȯ°æ±â¼úÆò°¡½Ç(02-3800-463¢¦478)·Î ¹®ÀÇÇϽñ⠹ٶø´Ï´Ù.
¡Øº°Ã· : ½Åû¼ ¹× ÀÌÇØ°ü°èÀÎ ÀÇ°ß¼(º°Áö Á¦1È£ ¼½Ä)
|